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碳化硅均流装置碳化硅均流装置碳化硅均流装置
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2020-05-20T11:05:17+00:00
碳化硅MOSFET并联主动均流的研究《天津工业大学
网页3针对导致电流不均衡现象,提出了一种磁芯电感联合栅极驱动回路主动调控电流均衡的方式。对磁芯电感的工作原理进行了分析和,同时选定了合适的磁芯材质。在多芯片并联使用的 网页碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 全球工业化水平逐步提高,传统电力电子器件受限于材料的自身因素,难以满足日益提升的要求而以碳化硅为代表的宽禁带材料和碳化硅 碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 百度学术 Baidu
碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯新闻
网页2023年4月17日 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数 网页2023年3月27日 3月24日，清华大学苏州汽车研究院和深圳市至信微电子在苏州吴江区正式签约共建“碳化硅联合研发中心”合作协议。旨在推动碳化硅技术在汽车 清华大学苏州汽车研究院与深圳至信微电子在苏州吴江区正式
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
网页2020年12月2日 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高 网页2014年8月12日 同轴电阻的寄生电感较小，可以测试较高频率的电流。均流测试与分析利用上面所述搭建的平台，对SiCMOSFET进行了并俩均流测试，包括静态均流和动态均流。 碳化硅MOSFET并联均流的研究 豆丁网
燃烧器碳化硅均流装置苏州上春仪监测程控设备制造有限公司
网页2023年2月1日 您的位置： 首页 > 定制中心 > 燃烧器配件 > 燃烧器碳化硅均流装置 巴威配土耳其胡努特鲁碳化硅均流装置 上春仪定制中心 燃烧器配件 燃烧器碳化硅喷嘴 燃烧器 网页2 天之前 特斯拉减少碳化硅用量，或将加剧汽车“价格战” 特斯拉之所以减少碳化硅用量，并非因为碳化硅不好，而是太好。 业内人士分析，特斯拉可能通过升级800V平台，且采 特斯拉减少75%碳化硅用量降低造车成本，国内新能源车企
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网页2020年8月21日 燃烧器碳化硅均流装置苏州上春仪监测程控设备制造有限公司 全炉膛火焰监视系统厂家苏州上春仪监测程控设备制造有限公司专注为火力发电厂、大 网页2023年4月17日 切片是碳化硅单晶加工过程的道工序，决定了后续薄化、抛光的加工水平，是整个 环节的最大产能瓶颈所在。现有的碳化硅晶圆切片大多使用金刚石线锯，但 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 知乎
碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯新闻
网页2023年4月17日 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求，主要被用于制作高速、 网页2020年12月2日 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？ 知乎
网页2023年1月3日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。网页2023年3月27日 3月24日，清华大学苏州汽车研究院和深圳市至信微电子在苏州吴江区正式签约共建“碳化硅联合研发中心”合作协议。旨在推动碳化硅技术在汽车 清华大学苏州汽车研究院与深圳至信微电子在苏州吴江区正式
碳化硅SiC行业研究：把握碳中和背景下的投资机会 知乎
网页2022年3月28日 碳化硅衬底应用逐步成熟，主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。 据工信部 发布《重点新材料首批次应用示范指导目录（2021 年版）》，碳化硅衬底可分为两类，一类 是具有高电阻率（电阻率≥10 5Ωcm）的半绝缘型碳化硅衬底，经 GaN 外延生长可制成 射频器件。网页2023年4月17日 切片是碳化硅单晶加工过程的道工序，决定了后续薄化、抛光的加工水平，是整个 环节的最大产能瓶颈所在。现有的碳化硅晶圆切片大多使用金刚石线锯，但碳化硅硬度高， 需要大量的金刚石线锯和长达数小时的加工时间，且切片过程中多达 40%的晶锭以碳化硅 粉尘的形式成为废料，单个晶锭 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 知乎
大家对碳化硅器件的前景如何看？ 知乎
网页2022年12月3日 据IHS数据，SiC市场总量在2025年有望达到30亿美元。 随着新能源车的发展，SiC器件性能上的优势将推进碳化硅器件市场规模的扩张，也将促使更多的功率半导体企业将目光聚焦在SiC器件上。 当前我 网页2021年11月4日 在碳化硅MOS芯片生产端，产业链和普通芯片产业链相近，目前成本较高主要是因为晶圆无法做到太大，成本相较于传统硅基芯片仍然较高（制造成本大概是IGBT芯片的3倍）。 在电动车产业链中，已有一家专注电控系统，且主要产品均为碳化硅MOS功率模 碳化硅（SiC）属于新能源车的能源革命？ 知乎
特斯拉减少75%碳化硅用量降低造车成本，国内新能源车企
网页2 天之前 特斯拉减少碳化硅用量，或将加剧汽车“价格战” 特斯拉之所以减少碳化硅用量，并非因为碳化硅不好，而是太好。 业内人士分析，特斯拉可能通过升级800V平台，且采用新的封装技术来改善碳化硅单管或模块的性能和散热能力，最终实现减少碳化硅用量。 特 网页2023年4月22日 1本发明涉及碳化硅晶片清洗技术领域，特别涉及一种碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法。背景技术： 2碳化硅(sic)是一种重要的宽禁带半导体材料，碳化硅是一种性能优异的新一代(第三代)宽禁带半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表。 。碳化硅外延晶片即以碳化硅单晶片作为衬底生长的 一种碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法与流程
碳化硅行业研究：同质外延SiC需求广阔，掘金百亿高成长赛道
网页2023年3月7日 从产能上来看，2020 年国内 SiC 同质外延片产能折合 6 英寸为 22 万片， SiC 异质外延片产能折合 6 英寸为 48 万片。 而国内 SiC 外延领域龙头公司近年正快速扩 张其产能，有望大幅提升市占率。 （1）瀚天天成：碳化硅产业园项目一期于 2019 年年底投 网页2022年12月3日 据IHS数据，SiC市场总量在2025年有望达到30亿美元。 随着新能源车的发展，SiC器件性能上的优势将推进碳化硅器件市场规模的扩张，也将促使更多的功率半导体企业将目光聚焦在SiC器件上。 当前我 大家对碳化硅器件的前景如何看？ 知乎
碳化硅栅极驱动器 电力电子行业的 颠覆性技术 Texas
网页2022年5月10日 碳化硅栅极驱动器：电力电子行业的颠覆性技术 2 February 2019 图 1 为何选择 SiC SiC 栅极驱动器的一个独有特性是快速过流保护，而不是 IGBT 栅极驱动器的去饱和。对于相同的额定电流和电压，IGBT 到达有源区域时集电极和发射极之间的电压明显 网页2023年3月27日 3月24日，清华大学苏州汽车研究院和深圳市至信微电子在苏州吴江区正式签约共建“碳化硅联合研发中心”合作协议。旨在推动碳化硅技术在汽车 清华大学苏州汽车研究院与深圳至信微电子在苏州吴江区正式
为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？ 知乎
网页2023年1月3日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。网页2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发 揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
一种碳化硅MOSFET的并联均流结构的制作方法 X技术
网页2019年6月11日 2、保证碳化硅mosfet开通时长一致，从而达到均流；3、工程实现较为简单，便于拓展。附图说明 图1为实施例碳化硅mosfet并联均流结构示意图；图2为实施例中均流电感器的具体结构示意图；图3为实施例中碳化硅mosfet的门漏级等效电容示意图。具体实施 网页2022年10月13日 SiC在智能电网的主要应用场景包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置。 碳化硅突破了硅基功率半导体器件的局限性，推动智能电网的发展和变革。长城证券碳化硅行业深度报告：乘新能源之风，行业需求有望
碳化硅MOSFET、硅MOSFET及IGBT的优缺对比 CSDN博客
网页2023年4月12日 碳化硅MOS管（SiCMOS )、PFC功率器件 主开关管的选择。如传统的PFC拓扑、普通无桥PFC、双升压无桥PFC，图腾柱无桥PFC等，并已成功大范围应用在设计过程中。碳化硅MOSFET相对于IGBT或超结MOSFET有更低的开关损耗。碳化硅MOSFET的体二极管虽然也存在反向恢复行为，但是其反向恢复电流相对IGBT或超结MOSFET要 网页2023年4月22日 1本发明涉及碳化硅晶片清洗技术领域，特别涉及一种碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法。背景技术： 2碳化硅(sic)是一种重要的宽禁带半导体材料，碳化硅是一种性能优异的新一代(第三代)宽禁带半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表。 。碳化硅外延晶片即以碳化硅单晶片作为衬底生长的 一种碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法与流程